工藝系統:由真空電弧離子鍍膜(ARC)+離子束清洗(IONBEAM)+磁控濺射(SPUTTER)組合而成。
系列設備通過冷陰極真空弧光放電活動中的正離子電流與場電子間的相互影響與制約實現電量遷移。實現高結合力、高硬度、耐磨損、耐腐蝕膜層的沉積。
1、 由9個多弧離子鍍膜源+2個陽極層離子束清洗源+2個磁控濺射弧源融合成鍍膜工藝系統;
2、 每個磁控濺射弧源的靶材可以根據需求應用不同的靶材材質;
3、 腔室采用優質SUS304不銹鋼機身,隱藏式雙層冷卻水冷設計;
4、 合理配備多套新研制的離子弧源,有效保障弧源濺射的穩定性與均勻性;
5、 采用多路進氣系統,精準控制氣體流量,滿足多種化合物膜層需求。