其特征是：通過對磁場的設計將靶面的等離子體延伸到靶面前200-400mm的范圍，等離子體以一定能量轟擊基板，輔助薄膜的沉積，大大提高了膜層的質量。
在非平衡磁控濺射工藝中：磁場分布是決定入射粒子能量的主要因素。電子在電場和磁場的交互作用下，在飛向陰極過程中與氬原子發生碰撞，電離產生出Ar離子，Ar離子被電場加速后，以高能量轟擊靶表面，使陰極靶材發生濺射并沉積在基片表面的過程。磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種，可以制備金屬、半導體、絕緣體等膜層。
安徽純源鍍膜科技有限公司在濺射技術的基礎上采用磁場設計和工藝氣體進氣方式，研制成了一種非平衡磁控濺射鍍膜源，非平衡磁控濺射在成膜過程中有適當能量離子流轟擊基片表面而使膜層更加致密，從而改善了薄膜的性能，有效提高了膜層均勻性和粘附性。
1、 膜層種類：金屬膜；合金膜；半導體膜；絕緣膜層。
2、 膜層性能 純離子鍍膜技術的兩大創新和成熟的工藝相結合，使得膜層具備如下性能：粘附性好；大面積鍍膜、均勻性好適用于一定復雜形狀曲面的鍍膜等；
3、工藝穩定、重復性好；高純度、無顆粒適用于光學膜層可以在導體、半導體和絕緣體基底上沉積；可以和純離子鍍膜,化學氣相沉積和離子束清洗等工藝配合等。
4、 應用領域 磁控濺射技術備制的膜層厚度通常在5nm-20μm之間，可以廣泛應用在：3C消費電子、半導體、光學、家電、新能源、軍工、科研等行業。
